Die konsistente Darstellung des physikalischen Themenbereiches in diesem Buch hilft Studenten und Forschern bei der Entwicklung effizienter Solarzellen. Messtechnische Analysen von einzelnen Schichten bzw. ganzen Solarzellen, zusammen mit der Verwendung innovativer theoretischer Modelle, erlauben weitreichende Einsichten in die vom Herstellungsprozess abhängenden physikalischen Größen. Exemplarisch wird der Einfluss eines Produktionsverfahrens auf die opto-elektronischen Kenngrößen aufgezeigt. Die lückenlosen mathematischen Darstellungen in diesem Buch erlauben es, alle physikalischen Zusammenhänge mit eigenen Tabellenkalkulations- bzw. Simulationsprogrammen nachzuvollziehen.
Die Nutzung des Sonnenlichts.- Optische Grundlagen für Grenzflächen und Volumina von Festkörpern.- UV/Vis/NIR-Spektroskopie an Ein- und Zwei-Schichten-Systemen.- Das Keradec/Swanepoel-Modell.- Das Quantenmechanische Modell.- Elektrische Bestimmung des spezifischen Widerstandes dünner Schichten.- Dotierstoffkonzentrationen, Beweglichkeiten und Stoßzeiten.- Strom-Spannungs-Messungen an Solarzellen.- Das Materialsystem der Sulfide.- Auswahl der Materialien, Produktionsverfahren und Analysemethoden.- UV/Vis/NIR-Spektroskopie an transparenten und opaken Schichten.- Elektrische Bestimmung des spezifischen Schichtwiderstandes.- Aluminiumdotierte Zinkoxid (ZnO:Al) TCO-Schichten.- Zinnsulfid (SnxSy) Absorberschichten.- Strom-Spannungs-Messungen an Solarzellen.- Anhänge.- Schlagwortverzeichnis.
Die erste Hälfte des Buches bietet weitestgehend näherungsfrei abgeleitete physikalische Theorien für einzelne Dünnschichten und komplette Solarzellen sowie entsprechende optoelektrische Analyseverfahren. In der zweiten Hälfte des Buches werden exemplarische TCO-, Puffer- und Absorberschichten sowie daraus gefertigte Dünnschicht-Solarzellen für eine Vielzahl unterschiedlicher Produktions- (Raum, Zeit, reales Gasgesetz, Prozessparameter, ...) und Messbedingungen (Temperatur, Beleuchtungsstärke, ...) systematisch analysiert. Im Rahmen der theoretischen Betrachtungen einzelner Dünnschichten finden Ein- und Zwei-Schichten Modelle ebenso Anwendung wie das Swanepoel Modell oder entsprechende quantenmechanische Modelle. Neben berührungslosen, optischen Schichtwiderstandsmessungen können hiermit effektive Dotierstoffkonzentrationen, effektive Massen freier Ladungsträger, deren Driftgeschwindigkeiten, Beweglichkeiten, freien Weglängen und Lebensdauern ebenso fehlerfrei bestimmt werden, wie die ihnen zugrunde liegenden Brechungsindizes (Dielektrizitätskonstanten) und Absorptionskoeffizienten (Austrittsarbeiten). Im Rahmen der Analyse von I(U)-Kennlinien ganzer Solarzellen werden solide Modelle vorgestellt, mit welchen nicht nur Wirkungsgrade und Füllfaktoren effizent und korrekt bestimmt werden können, sondern u.a. auch die Quanteneffizienz. Darüber hinaus erlauben die lückenlos hergeleiteten Theorien eine korrekte Simulation der Strom-Spannungs Charakteristik, auch in Abhängigkeit der Prozessparameter.
Dr. Andreas Stadler forscht an der Technischen Universität München auf den Gebieten Physik der anorganischen, halbleitenden Materialien.